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厂商型号

BC327RL1G 

产品描述

Transistors Bipolar - BJT 800mA 50V PNP

内部编号

277-BC327RL1G

生产厂商

ON Semiconductor

ONSEMI

订购说明

质量保障

原厂背书质量,全面技术支持

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全场免运费 /报价不含任何销售税

BC327RL1G产品详细规格

规格书 BC327RL1G datasheet 规格书
BC327
文档 Multiple Devices 01/Oct/2008
Rohs Lead free / RoHS Compliant
产品更改通知 Product Discontinuation 01/Oct/2008
标准包装 2,000
晶体管类型 PNP
- 集电极电流(Ic)(最大) 800mA
电压 - 集电极发射极击穿(最大) 45V
Vce饱和(最大)@ IB,IC 700mV @ 50mA, 500mA
电流 - 集电极截止(最大) 100nA
直流电流增益(HFE)(最小值)@ IC,VCE 100 @ 100mA, 1V
功率 - 最大 625mW
频率转换 260MHz
安装类型 Through Hole
包/盒 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
供应商器件封装 TO-92-3
包装材料 Tape & Reel (TR)
集电极最大直流电流 0.8
最小直流电流增益 100@100mA@1V|40@300mA@1V
欧盟RoHS指令 Compliant
最高工作温度 150
标准包装名称 TO-92
最低工作温度 -55
最大基地发射极电压 5
Maximum Transition Frequency 260(Typ)
封装 Tape and Reel
每个芯片的元件数 1
最大功率耗散 1500
供应商封装形式 TO-92
最大集电极发射极电压 45
类型 PNP
引脚数 3
铅形状 Formed
电流 - 集电极( Ic)(最大) 800mA
晶体管类型 PNP
安装类型 Through Hole
频率 - 转换 260MHz
下的Vce饱和度(最大) Ib,Ic条件 700mV @ 50mA, 500mA
电流 - 集电极截止(最大) 100nA
标准包装 2,000
电压 - 集电极发射极击穿(最大) 45V
供应商设备封装 TO-92-3
功率 - 最大 625mW
封装/外壳 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
直流电流增益( hFE)(最小值) Ic,Vce时 100 @ 100mA, 1V
RoHS指令 Lead free / RoHS Compliant

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